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晶振系列

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首頁進(jìn)口晶振鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振

鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振

規(guī)格型號(hào)：99374987
頻率：1.000MHZ~54.000MHZ
尺寸：3.2*2.5*1.2mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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產(chǎn)品描述：廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,導(dǎo)航儀,無線局域網(wǎng),千兆以太網(wǎng),智能手機(jī),PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站,串行連接SCSI,等領(lǐng)域.

鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振
參數(shù):頻率范圍1.000MHZ-54.000MHZ
電源電壓: 1.8V、2.8V、3.3V、5.0V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±25ppm、±50ppm、±100ppm
輸出方式：CMOS
尺寸：重量輕小型3.2*2.5*1.2mm
應(yīng)用：無線模塊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,單反數(shù)碼相機(jī),DSL,IT產(chǎn)品,光電模塊,PC終端和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域.

杭州鴻星電子有限公司于1979年成立，產(chǎn)品由專業(yè)電阻器、電容器制造廠，公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地，至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營銷代表處。
我們投資在團(tuán)隊(duì)能力、基礎(chǔ)建設(shè)是為了讓客戶每個(gè)產(chǎn)品的心臟都健康的跳動(dòng)。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長的平臺(tái)，激勵(lì)跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動(dòng)，要為更好的環(huán)境與晶振產(chǎn)品不斷的改善。

鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振，是臺(tái)灣鴻星電子股份有限公司3225mm封裝晶振的系列，該系列有HXO-SF，HXO-SC，HXO-SD，HXO-SE四款石英晶體振蕩器，分別對(duì)應(yīng)5.0V，3.3V，2.8V，1.8V的電源電壓，HXO-S晶振系列產(chǎn)品的輸出方式為CMOS，可應(yīng)用在多種不同的電子的產(chǎn)品，發(fā)揮各自本身的電氣特性，是真正的低功耗，低電流晶振。

大河晶振型號(hào)/輸出類型	HXO-S晶振系列,壓電石英晶體振蕩器
晶振類型	OSC振蕩器
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	1.8V、2.8V、3.3V、5.0V
頻率范圍2	1.000MHZ-54.000MHZ
頻率穩(wěn)定度	±25ppm、±50ppm、±100ppm
工作溫度	-40~+85℃
保存溫度	-55~+125℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間	5 ms Max.
相位抖動(dòng)（12千赫?20兆赫）	1個(gè)PS最大。
老化率	±2 ppm /年最大。

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶振產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存SMD晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表

2.    測試條件
(1)   電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)   其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）

3. 測試電路

HXO-S系列：在頻率電壓控制功能時(shí)，進(jìn)行連接

（1）CMOS 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（2）抗低,電容負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（3） TTL 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（4） LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（5）LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（6） LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（7） LVDS 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

（8） HCSL 負(fù)載
型號(hào)：
HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD
HXO-SE

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