首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 跟著TXC回顧經(jīng)典的晶振故障問(wèn)題和處理方法
跟著TXC回顧經(jīng)典的晶振故障問(wèn)題和處理方法
來(lái)源：http://www.ytxiaoping.cn 作者：金洛鑫電子 2019年09月16
臺(tái)灣晶技股份有限公司已經(jīng)是亞洲甚至是世界范圍內(nèi),品牌名氣和影響力比較大的石英水晶組件制造商了,專門設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)制造各種類型的石英晶振,提供樣品和批量供貨,以及技術(shù)和售后等相關(guān)服務(wù).TXC公司作為臺(tái)灣知名的晶振廠家之一,不管是技術(shù)還是方案方面,都能讓廣大新老客戶滿意,而且?guī)椭S多客戶解決了晶振相關(guān)問(wèn)題,以下我們一起回顧下,一些TXC公司處理過(guò)的經(jīng)典技術(shù)問(wèn)題,和給出的處理步驟與方法.
一、頻率輸出僅為目標(biāo)頻率的三分之一
下面的曲線代表了晶體電阻的特性:
晶體有各種振動(dòng)模式,如基波,三次泛音,五次泛音,等等.當(dāng)采用基模時(shí),晶體的電阻是最低,這意味著晶體振蕩最容易.當(dāng)應(yīng)用第三音調(diào)模式時(shí),必須使用放大電路將基本模式的頻率反饋降低到小于第三音調(diào)模式的延伸.因此,如果頻率僅為目標(biāo)頻率的三分之一,我們應(yīng)檢查是否應(yīng)用放大電路或其設(shè)定值是否足夠,因?yàn)?a href="http://www.ytxiaoping.cn/" target="_blank">晶振電路環(huán)境適合于基本模式而不是第三音模式.如果未應(yīng)用放大電路或其設(shè)定值不足,電路可能不會(huì)振蕩.基本模式和第三音模式的應(yīng)用如下:
基本模式的應(yīng)用-三音模式的應(yīng)用
二、由于輸出波形而在監(jiān)視器上顯示時(shí)系統(tǒng)故障或圖像中斷被其他信號(hào)中斷
請(qǐng)使用頻譜分析儀識(shí)別中斷信號(hào)的頻率.我們可以根據(jù)頻率找出問(wèn)題所在.如果是來(lái)自電源的交流信號(hào),請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的接地狀態(tài)是否浮動(dòng).如果不是,請(qǐng)改為浮動(dòng).如果信號(hào)頻率較高,請(qǐng)使用以下方法:
1.使用水晶殼作為接地.
2.采用C0較小的諧振器.
3.增加電路的外部電容Cd和Cg,并采用具有更高負(fù)載電容CL的晶體.
如果上述方法無(wú)法解決您的問(wèn)題,請(qǐng)檢查周圍的電路和PCB布局.如果它們都正常,請(qǐng)讓IC制造商調(diào)查其芯片組設(shè)計(jì)對(duì)未知信號(hào)的反應(yīng).改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問(wèn)題而不是完全解決問(wèn)題.通常.最好找出芯片組設(shè)計(jì)的問(wèn)題并解決它.
三、由于輸出頻率偏差很大,系統(tǒng)無(wú)法正常工作
我們可以通過(guò)以下方法改善頻率輸出偏差超過(guò)極限的問(wèn)題:調(diào)整外部電容值Cd和Cg.如果頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率高于目標(biāo)頻率,我們應(yīng)該增加外部電容CL(或Cd和Cg的值),以將頻率降低到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.采用具有不同電容值(CL)的晶體.如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率,則采用電容較低的Quartz Crystal,反之亦然.在采用正確的電容并將頻率調(diào)整到目標(biāo)值后,請(qǐng)使用示波器檢查波形幅度是否正常.在由于增加外部電容而使波形幅度縮小的情況下,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(降低外部電容并采用電容較低的晶體).
四、由于晶體沒(méi)有足夠的輸出波形幅度,系統(tǒng)無(wú)法正常工作
請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)測(cè)量來(lái)自晶體兩端的信號(hào),如果頻率不在規(guī)格范圍內(nèi)且輸出波形幅度不夠(例如,超過(guò)+/-200ppm),請(qǐng)按照步驟操作1-3到步驟1-5.電容與頻率的公式如下:
其中
曲線表示電容變化與頻率變化的變化(頻率可變性):
如果頻率計(jì)測(cè)量的頻率高于目標(biāo)頻率,我們應(yīng)該增加電容值(CL,或Cd和Cg)以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.調(diào)整頻率后,請(qǐng)檢查波形幅度是否有所改善.如果它得到改進(jìn),則表明電路的原始設(shè)計(jì)沒(méi)有調(diào)整到晶體的最佳諧振點(diǎn).調(diào)整諧振點(diǎn)后,晶體應(yīng)正常工作.如果波形幅度沒(méi)有改善,即使頻率幾乎接近目標(biāo)頻率,我們可以使用以下三種方法改進(jìn)它:
方法1: 降低外部電容(Cd和Cg)的值,采用負(fù)載電容(CL)較低的晶振.
方法2: 采用較低電阻(Rr)的晶體諧振器.
方法3: 使用不等的Cd和Cg值的設(shè)計(jì).
我們可以增加Cd(Xout)的負(fù)載電容并降低Cg(Xin)的負(fù)載電容,以提高來(lái)自Xin的波形幅度輸出,這將用于其后端電路.我們建議您使用上述方法來(lái)節(jié)省成本并確保安全.請(qǐng)使用頻率計(jì)來(lái)測(cè)量晶體,以確保在波形幅度得到改善后,調(diào)整后的頻率仍符合原始規(guī)格.如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)根據(jù)您的目標(biāo)頻率采用具有合適CL值的晶體.如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率,請(qǐng)采用CL較低的晶體,反之亦然.
五、晶體不會(huì)振動(dòng)或其頻率隨PCB上的熱測(cè)試而變化
卸下晶體并測(cè)試其頻率和電阻,以確定它是否振蕩并使用熱測(cè)試機(jī)器符合規(guī)格.您也可以將其發(fā)送給晶體供應(yīng)商進(jìn)行測(cè)試.(熱測(cè)試點(diǎn)的間隔應(yīng)至少為10？/1測(cè)試點(diǎn))如果其電阻和頻率超出工作溫度范圍內(nèi)的規(guī)格,請(qǐng)將晶體送至制造商進(jìn)行質(zhì)量分析和進(jìn)一步改進(jìn).在晶體通過(guò)熱測(cè)試的情況下,請(qǐng)檢查振蕩電路和其他元件的特性,如外部電容的溫度特性,芯片電路的溫度特性等.
六、頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍
這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小.請(qǐng)確定第三音模式的頻率反饋是否大于放大電路引起的基模反饋.當(dāng)放大電路內(nèi)置在芯片組中時(shí),可能會(huì)發(fā)生此問(wèn)題.要解決這個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)采用三色調(diào)模式水晶振動(dòng)子.此外,用于第三音模式的放大電路的不適當(dāng)設(shè)計(jì)也可能導(dǎo)致電路通過(guò)五音模式振蕩或不能振蕩.
一、頻率輸出僅為目標(biāo)頻率的三分之一
下面的曲線代表了晶體電阻的特性:
基本模式的應(yīng)用-三音模式的應(yīng)用
下表按不同頻率顯示了第三音模式的L,C匹配值:
| 第3次泛音頻率 | L | C |
| 25Mhz~35Mhz | 22uH | 220pF |
| 35Mhz~45Mhz | 5.5uH | 690pF |
| 45Mhz~60Mhz | 1uH | 1500pF |
| 60Mhz~80Mhz | 550nH | 2200pF |
| 80Mhz~100Mhz | 220nH | 4700pF |
請(qǐng)使用頻譜分析儀識(shí)別中斷信號(hào)的頻率.我們可以根據(jù)頻率找出問(wèn)題所在.如果是來(lái)自電源的交流信號(hào),請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的接地狀態(tài)是否浮動(dòng).如果不是,請(qǐng)改為浮動(dòng).如果信號(hào)頻率較高,請(qǐng)使用以下方法:
1.使用水晶殼作為接地.
2.采用C0較小的諧振器.
3.增加電路的外部電容Cd和Cg,并采用具有更高負(fù)載電容CL的晶體.
如果上述方法無(wú)法解決您的問(wèn)題,請(qǐng)檢查周圍的電路和PCB布局.如果它們都正常,請(qǐng)讓IC制造商調(diào)查其芯片組設(shè)計(jì)對(duì)未知信號(hào)的反應(yīng).改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問(wèn)題而不是完全解決問(wèn)題.通常.最好找出芯片組設(shè)計(jì)的問(wèn)題并解決它.
三、由于輸出頻率偏差很大,系統(tǒng)無(wú)法正常工作
我們可以通過(guò)以下方法改善頻率輸出偏差超過(guò)極限的問(wèn)題:調(diào)整外部電容值Cd和Cg.如果頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率高于目標(biāo)頻率,我們應(yīng)該增加外部電容CL(或Cd和Cg的值),以將頻率降低到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.采用具有不同電容值(CL)的晶體.如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率,則采用電容較低的Quartz Crystal,反之亦然.在采用正確的電容并將頻率調(diào)整到目標(biāo)值后,請(qǐng)使用示波器檢查波形幅度是否正常.在由于增加外部電容而使波形幅度縮小的情況下,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(降低外部電容并采用電容較低的晶體).
四、由于晶體沒(méi)有足夠的輸出波形幅度,系統(tǒng)無(wú)法正常工作
請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)測(cè)量來(lái)自晶體兩端的信號(hào),如果頻率不在規(guī)格范圍內(nèi)且輸出波形幅度不夠(例如,超過(guò)+/-200ppm),請(qǐng)按照步驟操作1-3到步驟1-5.電容與頻率的公式如下:
其中曲線表示電容變化與頻率變化的變化(頻率可變性):
方法1: 降低外部電容(Cd和Cg)的值,采用負(fù)載電容(CL)較低的晶振.
方法2: 采用較低電阻(Rr)的晶體諧振器.
方法3: 使用不等的Cd和Cg值的設(shè)計(jì).
我們可以增加Cd(Xout)的負(fù)載電容并降低Cg(Xin)的負(fù)載電容,以提高來(lái)自Xin的波形幅度輸出,這將用于其后端電路.我們建議您使用上述方法來(lái)節(jié)省成本并確保安全.請(qǐng)使用頻率計(jì)來(lái)測(cè)量晶體,以確保在波形幅度得到改善后,調(diào)整后的頻率仍符合原始規(guī)格.如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)根據(jù)您的目標(biāo)頻率采用具有合適CL值的晶體.如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率,請(qǐng)采用CL較低的晶體,反之亦然.
五、晶體不會(huì)振動(dòng)或其頻率隨PCB上的熱測(cè)試而變化
卸下晶體并測(cè)試其頻率和電阻,以確定它是否振蕩并使用熱測(cè)試機(jī)器符合規(guī)格.您也可以將其發(fā)送給晶體供應(yīng)商進(jìn)行測(cè)試.(熱測(cè)試點(diǎn)的間隔應(yīng)至少為10？/1測(cè)試點(diǎn))如果其電阻和頻率超出工作溫度范圍內(nèi)的規(guī)格,請(qǐng)將晶體送至制造商進(jìn)行質(zhì)量分析和進(jìn)一步改進(jìn).在晶體通過(guò)熱測(cè)試的情況下,請(qǐng)檢查振蕩電路和其他元件的特性,如外部電容的溫度特性,芯片電路的溫度特性等.
六、頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍
這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小.請(qǐng)確定第三音模式的頻率反饋是否大于放大電路引起的基模反饋.當(dāng)放大電路內(nèi)置在芯片組中時(shí),可能會(huì)發(fā)生此問(wèn)題.要解決這個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)采用三色調(diào)模式水晶振動(dòng)子.此外,用于第三音模式的放大電路的不適當(dāng)設(shè)計(jì)也可能導(dǎo)致電路通過(guò)五音模式振蕩或不能振蕩.
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
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