SMD晶振熱分析與無鉛回流焊曲線圖示例分析
來源：http://www.ytxiaoping.cn 作者：金洛鑫電子 2019年11月27
SMD晶振熱分析處理與無鉛回流焊曲線圖示例分析
大家都知道制造一顆完整的SMD晶振步驟和環節非常多,要使用很多種不同的工藝和技術,熱分析和無鉛回流焊接是其中比較重要的.對于無鉛回流焊接相信大家比較了解,那什么是熱分析呢?所謂的熱分析是指測試產品與溫度關系的一項高新技術,可以有效的防止因溫度過高造成貼片晶振溫漂,故障,不起振等問題,是三十多道工序里,較為著急的一道環節.以下就由金洛鑫電子,為大家詳細的解說熱分析和無鉛回流焊接曲線圖的具體內容和要素.
熱分析:
在石英晶體振蕩器上進行熱測量.IC尺寸為0.050×0.050.
測量的是襯底的頂部,封裝的底部和IC.結果如下
如下:
環境空氣=24.2°C
封裝溫度=26.2°C
基板溫度=26.7°C
芯片溫度=27.2°C
功耗=76.6兆瓦
基于這些測量,計算出以下熱阻:
包裝到空氣i=26.11°C/瓦
IC到基板的i=6.53°C/watt
封裝至基板i=6.53°C/watt
IC至封裝i=13.05°C/watt
IC對空氣i=39.16°C/watt
空氣被定義為自由的不受控制的空氣.
SMD Crystal回流曲線:
無鉛SMDXtal組裝回流焊曲線
無鉛裝配回流曲線
圖5-1分類回流曲線
分類回流配置文件表
*公差:貼片晶振制造商/供應商應確保工藝兼容性達到并包括額定MSL水平的規定分類溫度(這意味著峰值回流溫度+0℃.例如260℃+0℃).
注1:輪廓公差為+0℃,-X℃(基于機器變化能力),無論控制輪廓工藝需要什么,但在任何時候都不會超過-5℃.生產商保證在表4.2中定義的回流輪廓峰值溫度下的工藝兼容性.
注2:封裝體積不包括外部端子(球、凸點、焊盤、引線)和/或非集成散熱器.
注3:回流期間達到的最高石英晶振溫度取決于封裝厚度和體積.對流回流工藝的使用降低了封裝之間的端子梯度.然而,由于貼片封裝熱質量的差異,熱梯度可能仍然存在.
注4:應使用4.2和5.2中定義的無鉛分類溫度和剖面來評估無鉛組裝過程中使用的部件,無論是否無鉛.
你還想知道哪些晶振技術知識呢,歡迎到http://www.ytxiaoping.cn/金洛鑫電子官網上留言,我們將為你找尋和分享相關的資料,我們是專業的晶振廠家,我們不止是提供石英晶體,貼片晶振產品,我們還是晶振方案和資料提供者!
SMD晶振熱分析處理與無鉛回流焊曲線圖示例分析
大家都知道制造一顆完整的SMD晶振步驟和環節非常多,要使用很多種不同的工藝和技術,熱分析和無鉛回流焊接是其中比較重要的.對于無鉛回流焊接相信大家比較了解,那什么是熱分析呢?所謂的熱分析是指測試產品與溫度關系的一項高新技術,可以有效的防止因溫度過高造成貼片晶振溫漂,故障,不起振等問題,是三十多道工序里,較為著急的一道環節.以下就由金洛鑫電子,為大家詳細的解說熱分析和無鉛回流焊接曲線圖的具體內容和要素.
熱分析:
在石英晶體振蕩器上進行熱測量.IC尺寸為0.050×0.050.
測量的是襯底的頂部,封裝的底部和IC.結果如下
如下:
環境空氣=24.2°C
封裝溫度=26.2°C
基板溫度=26.7°C
芯片溫度=27.2°C
功耗=76.6兆瓦
基于這些測量,計算出以下熱阻:
包裝到空氣i=26.11°C/瓦
IC到基板的i=6.53°C/watt
封裝至基板i=6.53°C/watt
IC至封裝i=13.05°C/watt
IC對空氣i=39.16°C/watt
空氣被定義為自由的不受控制的空氣.
SMD Crystal回流曲線:
無鉛SMDXtal組裝回流焊曲線
無鉛裝配回流曲線
圖5-1分類回流曲線
| 特征 | 無鉛組件 |
| 平均上升速率(TSmax至Tp) | 最大3℃/秒. |
| 預熱 | |
| -最低溫度(TSmin) | 150℃ |
| -最高溫度(TSmax) | 200℃ |
|
-時間(tSmin至tSmax) 以上維護的時間: |
60-180秒 |
| -溫度(t1) | |
| -時間(t1 | 217攝氏度 |
| 峰值/分類溫度(Tp) | 60-150秒 |
| 實際峰值溫度(TP)5℃以內的時間 | 見表4.2 |
| 下降速率 | 20-40秒 |
| 達到峰值溫度的時間為25℃ | 最大6℃/秒. |
注1:所有溫度均指包裝頂部,在包裝體表面測量.
4-2Pb無工藝——封裝分類回流溫度| 包裝 | 體積公厘(立方) | 體積毫米(立方) | 體積毫米(立方) |
| 厚度 | <350 | 350-2000 | >2000 |
| <1.6mm | 260+0℃* | 260+0℃* | 260+0℃* |
| 1.6mm-2.5mm | 260+0℃* | 250+0℃* | 245+0℃* |
| ≥2.5mm | 250+0℃* | 245+0℃* | 245+0℃* |
注1:輪廓公差為+0℃,-X℃(基于機器變化能力),無論控制輪廓工藝需要什么,但在任何時候都不會超過-5℃.生產商保證在表4.2中定義的回流輪廓峰值溫度下的工藝兼容性.
注2:封裝體積不包括外部端子(球、凸點、焊盤、引線)和/或非集成散熱器.
注3:回流期間達到的最高石英晶振溫度取決于封裝厚度和體積.對流回流工藝的使用降低了封裝之間的端子梯度.然而,由于貼片封裝熱質量的差異,熱梯度可能仍然存在.
注4:應使用4.2和5.2中定義的無鉛分類溫度和剖面來評估無鉛組裝過程中使用的部件,無論是否無鉛.
你還想知道哪些晶振技術知識呢,歡迎到http://www.ytxiaoping.cn/金洛鑫電子官網上留言,我們將為你找尋和分享相關的資料,我們是專業的晶振廠家,我們不止是提供石英晶體,貼片晶振產品,我們還是晶振方案和資料提供者!
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