我們日常生活中使用的很多產品設備都帶有DRR儲存器,常見的有服務器,PC,智能手機,gps等.那么什么是DRR?DRR就是雙倍速率同步動態隨機儲存器,DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
終止雙倍數據速率（DDR）存儲器信號的目的是保持信號完整性。電路板設計人員必須正確終止信號線和貼片晶振，并有效利用布局空間來實現這一目標。通過選擇具有適當阻抗值的BGA端接陣列，設計人員可以實現這一目標。
DDR存儲器的終止標準.

所需的終止樣式基于DDR內存應用程序。滿足EIA/JEDEC標準JESD8-9A正確信號處理要求的兩類終端如圖1和圖2所示。在0-2.5伏邏輯交換范圍內工作的2.5VI/O存儲器總線標準是SSTL_2,該標準適用于高速DDRSDRAM接口。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍.
終止方法可以利用BGA樣式封裝提供的緊湊路由。建議使用I類電阻器端接方法以獲得最佳性能。它減少了所需的石英晶振元件數量/位置和電路板空間，同時提供更簡單的信號路由，更少的反射以及更好的帶寬和穩定性。VTT等于VREF，等于VDD的50％。VTT必須始終保持低于0.040伏特的VREF偏移。建議使用多個并聯電容去耦，并應特別注意盡量減少ESR和ESL。

終端電阻應盡可能靠近雙列直插式內存模塊（DIMM）插槽，以最大限度地減少信號路由長度。如果使用電阻陣列或僅帶終端電阻的BGA網絡，雙通電容應放置在VTT終端島和VSS平面之間，每兩個終端電阻至少有一個0.01μF電容，間隔均勻。采用任何一種端接方法，PCB應在端接島的每端包含一個10μF鉭電容，用于批量去耦。圖3顯示了采用帶終端電阻和雙極電容的BGA封裝的完整終端解決方案示例。